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化学 【高純度化学品・半導体製造用装置】

各製品の詳細は、下記の項目をクリックして下さい。

製品詳細

三塩化ホウ素

半導体製造業界では、超LSIなどICが高集積化し高性能化するに伴い、超微細加工用のドライエッチングガスが要求されています。当社が日本で初めて国産化した三塩化ホウ素は、最高品質の高純度品であり、アルミニウム配線のドライエッチングガスとして最適です。

荷姿
  • 内容積 10l、 47l
  • 充填量 10kg、50kg
用途
  • アルミニウム配線のドライエッチングガス
  • CVD用ガス
  • 窒化ホウ素(BN)原料
  • 医薬・農薬用原料
  • 触媒用原料
この製品に関するお問い合わせ先 宇部興産(株) フォームからのお問い合わせ
化学カンパニー 電池材料・ファイン事業部
高純度化学薬品グループ
TEL:03-5419-6181 FAX:03-5419-6259

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製品詳細

有機金属化合物(MO)

化合物半導体のオプトエレクトロニクス・HEMT・GaAsICなどへの応用が本格的に進められており、そのエピタキシャル結晶成長法として、MO-CVD法が使われております。当社の有機金属化合物(MO)は、化学メーカーとして蓄積された精製、分析、取り扱い技術により、不純物が極めて少ない高純度品として、高い評価を得ており、III-V族、II-VI族MO-CVD材料として多くの実績を重ねております。

荷姿
  • 容器(ボンベ) 100ml、150ml、250ml、330ml、400ml、600ml、750ml、1,150ml、2,600ml
  • ステンレス容器
用途
  • 発光ダイオード(LED)
  • 半導体レーザ(LD)
  • 電界効果トランジスタ(FET)
  • 高速コンピュータ用(IC、HEMT)
  • ホール素子
  • 太陽電池
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開発品

ALD/CVD用金属錯体材料

電子、半導体分野での薄膜形成方法としてMOCVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)、ALD法(Atomic Layer Deposition)が用いられています。当社ではこれらの形成手法に使用される金属錯体材料(Precursor)をUBE独自の合成・精製技術を用いて各種開発しております。用途は配線・バリア・電極用の金属(Ru、Co、Mn他)材料から、絶縁膜・保護膜用の材料(Al、Mg、Fe、Zn他)に至るまで幅広く取り揃えております。

荷姿
  • 容器(ボンベ)100mlから御要望に応じて供給致します。
  • ステンレス容器
用途
  • 半導体用配線
  • 半導体配線用下地膜
  • 半導体用電極
  • 半導体絶縁膜(酸化・窒素膜)
  • 保護膜 等
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高純度安水

半導体デバイスの高集積化、微細化が進むにつれて、シリコンウェハーの洗浄用として使用されるアンモニア水の品質もさらに高純度、高品質のものが要求されています。当社の高純度アンモニア水は、原料精製から製造、充填までの厳しい品質管理の元で一貫生産されるため、金属イオン・パーティクルが極めて少ない高品質の商品です。

荷姿 特殊ポリエチレン容器
  • ドラム 170kg(200l)、90kg(100l)
  • ポリ缶 18kg(20l)
  • コンテナ 900kg(1m3
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高純度硝酸

UBE高純度硝酸は、当社の永年に亘る各種硝酸製品の製造経験をもとに、調査・研究を重ね、電子工業用に開発した最高レベルの精製純度を持つ製品であり、シリコンウェハーの洗浄剤・エッチング液として最適です。

荷姿
  • ドラム缶 250kg(200l)、140kg(100l)
  • コンテナ 1.4t(1m3
  • ローリー 10t(7m3
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「UBE RID」ドライエッチング排ガス処理設備

「UBE RID」ドライエッチング排ガス処理設備
  • ドライ処理システム
  • 安全性が向上
  • 処理量をデジタル表示
  • ダブルの交換時期警報システム
  • 圧力損失が少ない
  • 接続が簡単
  • 適用範囲が広い
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化学カンパニー 電池材料・ファイン事業部
高純度化学薬品グループ RIDチーム
TEL:0836-31-6371 FAX:0836-31-0939

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「RID-TRAPPER」固形分捕集装置

「RID-TRAPPER」固形分捕集装置

半導体・液晶製造工程で発生する固形分を、効率良く多量に捕集が可能です。配管メンテナンスの回数削減、稼働率のアップなど大きな効果が期待できます。

大風量対応 100l/minから2,000l/minまで対応できます。
高性能フィルター 冷却とフィルターにより高い捕集能力を示します。
99%以上。
操作が簡単 カラム交換も容易です。
気密テスト機能 接続部の気密テストができます。
ご希望の仕様に 装置寸法、インターロック等はお客様の要望で設計が可能です。
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高純度化学薬品グループ RIDチーム
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「RID-ACE」チャンバークリーニング・ユニット

「RID-ACE」チャンバークリーニング・ユニット

チャンバーのクリーニング時に発生する臭気は、HCl、HF、Cl2等有毒なガスが多く、クリーニング時の労働環境を悪化させ、作業性にも支障をきたしています。これらのガスをTLV値以下にして、作業性を向上させます。

排気風量 最大1.1m3/min
対象ガス 酸性ガス
BCl3、Cl2、HCl、COCl2、SiCl4、HF、SiF4、COF2、F2、HBr、Br2、SiBr4、SF6分解生成物
対象ガス濃度 500ppm以下
出口ガス濃度 TLV値以下
処理剤交換 ブロワー運転時間が300時間で交換(タイマー機能)
注意: 対象となるガスはエッチング装置用に限定されます。可燃性ガス等にはご使用できません。
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高純度化学薬品グループ RIDチーム
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オゾン除害装置

発電機設備、半導体表面改質工程等の設備機器において、オゾンが発生します。
低濃度でもその毒性が高く、人体への悪影響が大きいオゾンを、室温で簡便な方法で除去いたします。

処理風量 最大20m3/min
対象ガス オゾン
対象ガス濃度 100ppm以下
出口ガス濃度 TLV値以下
圧力損失 480Pa(at.10m3/min)
その他仕様 お客様の使用条件に合わせて設計
別の酸性ガスとの混合ガスにも対応可能
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硫化水素除害装置

毒性が高く、悪臭があり人体への悪影響が大きい硫化水素を、室温で簡便な方法で除去いたします。

処理風量 最大30m3/min
対象ガス 硫化水素
対象ガス濃度 硫化水素:0.1%以下
出口ガス濃度 TLV値以下
圧力損失 2,200Pa(at.30m3/min)
その他仕様 お客様の使用条件に合わせて設計
別の酸性ガスとの混合ガスにも対応可能
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高純度化学薬品グループ RIDチーム
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VOCガス除害装置 「RID-VOC」

各種の揮発性有機化合物(VOC)について低濃度から1%レベルの高濃度まで広範囲に分解除害いたします。
装置に導入される排ガス条件に合わせて吸着剤および触媒を選定。
低温分解および熱回収方式による省エネ対応。

除害方法 触媒分解方式
導入風量 最大20m3/min
対象ガス
(代表例)
メチルアルコール、エチレン、シクロヘキサノン、トルエン、キシレン、
アセトアルデヒド、エチルアルコール
上記以外のガスについては弊社までお問合せ願います。
対象ガス濃度 1%以下
出口ガス濃度 浄化率=99%以上
ユーティリティー
  • AC200V
  • AC100V
その他仕様 お客様の使用条件に合わせて設計いたします。
複数のVOC除害についてはご相談願います。
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高純度化学薬品グループ RIDチーム
TEL:0836-31-6371 FAX:0836-31-0939

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