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M1302

走査型電子顕微鏡(SEM)
Scanning Electron Microscope

1. 特徴

高性能電子光学系と各種検出器の組み合わせにより、高分解能での表面構造の観察、EDS(エネルギー分散型X線分光)組成分析、EBSD(電子後方散乱回折)結晶方位解析が可能です。

2. 原理、概念図

図1:概念図

図1:概念図

  1. 0.01〜30kVで加速された電子を細く絞り、試料上を走査し、試料から発生する二次電子や反射電子を検出することにより、SEM像の観察を行います。
  2. 試料から発生する特性X線を検出することにより、組成(B〜U)とその分布を調べます。
  3. 試料から発生する反射電子回折パターンを解析することにより、結晶方位とその分布を調べます。

3. 性能と仕様

型式 日本電子製 JSM-7800F
加速電圧 0.01〜30kV
分解能0.8nm(15kV)、1.2nm(1kV)
付属装置 二次電子、反射電子、EDS、EBSD各検出器、大気遮断試料交換室

4. 試料の形状、サイズ

  1. 形状:外径100mmφ以内、高さ23mm以内
  2. 加工:機械研磨、ミクロトーム法、CP法、FIB法

5. 分析依頼時の留意点

真空中で電子を照射します。その条件下で試料が安定である必要があります。試料作製時に、水・有機溶媒や各種樹脂等を使用するため、耐熱性、吸湿性、耐薬品性等の情報が必要です。

6. 測定データ例

図2:二次電子像 試料:ゼオライト    図3:二次電子像 試料:Ni2O3粒子
図2:二次電子像 試料:ゼオライト    図3:二次電子像 試料:Ni2O3粒子
図4:反射電子像 試料:真鍮腐食部 図5:EDSマップ 試料:真鍮腐食部
図4:反射電子像 試料:真鍮腐食部    図5:EDSマップ 試料:真鍮腐食部
図6:結晶方位マップと代表的な粒子の格子モデル 試料:Au
図6:結晶方位マップと代表的な粒子の格子モデル 試料:Au

7.適用例

  1. 半導体デバイスなど各種材料の断面観察
  2. 金属、半導体などの結晶方位、粒界の解析
  3. EDSによる異物の組成解析
  4. FIB-SEMによる断面観察後の任意箇所のFIB-TEM解析

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