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M204

FIBマイクロサンプリング断面加工試料のSEM-EBSD測定

電子後方散乱回折(EBSD:Electron BackScattered Diffraction Pattern)法は、試料表面の結晶方位分布の情報が得られるため、材料の組織解析において非常に有用な手法となっています。
従来、SEM-EBSD測定用の断面加工には、研磨法やイオン研磨法(CP:Cross section Polisher)を用いていましたが、サブミクロンオーダーの位置精度で断面加工を行うことは困難でした。
今回、FIBマイクロサンプリング断面加工を行うことにより、サブミクロンオーダーの位置精度でSEM-EBSD測定用の断面加工が可能となりました。

以下に、集積回路配線部での実施例を示します。

Al配線(幅:約1µm)中央部でFIBマイクロサンプリング断面加工を行い、SEM観察、EDSマッピング測定、EBSD測定を行った結果、Al配線部の逆極点図方位マップを取得できています。

図1:(a)表面SEM像(二次電子像)、(b)断面SEM像(反射電子像)、(c)断面EDSマップ

図1:(a)表面SEM像(二次電子像)、(b)断面SEM像(反射電子像)、(c)断面EDSマップ

図2:EBSD測定結果 (a)逆極点図方位マップ、(b)座標系、(c)カラーキー

図2:EBSD測定結果 (a)逆極点図方位マップ、(b)座標系、(c)カラーキー

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