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S196

SIMSによるチップ断面の分析

半導体材料中の微量ドーパントの定量や分布測定は通常SIMSを用いて行われます。材料表面の比較的浅い領域(〜数μm)の分析では材料表面から直接エッチングし、デプスプロファイルを求めますが、材料内部の深い領域までのドーパントの拡散を調べる場合には、材料断面のライン分析が有効です。試料の断面作製を行った後、In金属に固定して測定しました。図1はGaAs系化合物半導体中のZnを分析したもので、熱処理した試料ではZnは表面から〜80μmの深い領域まで拡散分布していることが分かります。

図1:試料断面のライン分析より求めたGaAs系化合物半導体中のZnのデプスプロファイル

図1:試料断面のライン分析より求めたGaAs系化合物半導体中のZnのデプスプロファイル

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