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S237

Siウエハ中のBの高感度分析

半導体材料中のドーパントの分析では、2次イオン質量分析計(SIMS)が多用されます。Si系半導体材料では、P型の代表的なドーパントとしてBが使用されていますが、SIMSによるBの分析では、Bは他の分子イオン、多価イオン等の妨害を受けにくいため、Bの検出下限は1次イオンビーム強度依存します。カメカ社製のSIMS装置(IMS-6F)では、最大1次イオン電流量10μAが取れ、検出下限は1013atoms/ccオーダー前半、測定時間も比較的短時間で測定することができます。表1に測定条件を示し、図1にSiウエハ中のBのデプスプロファイルを示します。

図1:Siウエハ中のBのデプスプロファイル

図1:Siウエハ中のBのデプスプロファイル

表1:Bのデプスプロファイル測定条件
1次イオン種 O2+
検出イオン種 11B+
1次加速電圧 (KV) 7.5
1次イオン電流(μA) 1.2
測定モード デプスプロファイル
ラスター領域(μm×μm) 200×200
測定領域(μmφ) 33
 質量分解能 300
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