EELSスペクトルラインプロファイルによる酸化膜解析

Cs補正STEMを用いてシリコン基板上酸化膜のEELSスペクトルラインプロファイル測定を行った例を示します。

図1にHAADF-STEM像を示します。図1中ライン部（15nm）を0.2nm間隔で75点EELSスペクトルを測定しました。各スペクトルから求めたO-KとN-Kの強度プロファイルを図2に示します。これより、酸化膜の両側にNを含む層（各1.6nm、0.8nm程度）が存在することが分かります。次に、Si-L2,3スペクトル（バックグランド除去済）の位置変化を図3に示します。酸化膜部分におけるスペクトルの挙動は 技術資料：EELSによる状態分析 の結果と一致しており、Siの状態変化を表していると考えられます。

図1：HAADF-STEM像
図2：EELSラインプロファイル（a）O-K、（b）N-K	図3：EELSスペクトルの位置変化 Si-L2,3