S438
Cs補正STEMによる各種材料観察
Cs補正STEMは電子レンズの球面収差補正によりビームを0.1nm程度と非常に細く絞ることができます。これを走査して試料を透過散乱した電子を検出するHAADF-STEM（参考資料：高分解能HAADF-STEM像）では、原子カラムの並びを直視する像を得ることができます。各種材料のHAADF-STEM像を図1に示します。
| （a） | アルミニウム [110]入射 |
| （b） | ガリウム砒素 [110]入射 |
| （c） | 窒化シリコン [0001]入射 |
| （d） | 炭化シリコン [11-20]入射 |
| （e） | 炭化チタン粒界 [100]入射 |
| （f） | チタンシリサイド/シリコン界面 シリコン[110]入射 |
単結晶領域（a〜d）、粒界（e）や界面（f）の観察に有効です。
図1：各種材料のHAADF-STEM像
（a） Al、（b） GaAs、（c） Si3N4、（d） SiC、（e） TiC、（f） Ti-Si/Si
