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S446

D-SIMSの面分析におけるラインスキャン解析

D-SIMSを用いた面分析の解析アプリケーションの一つとして、既に取得した二次イオン像において、その画像上に定義された線に沿い、イオン強度をカウントして強度プロファイルへ加工するラインスキャン解析があります。

本実施例では、Si基板上の格子状に存在するTaの濃度分布に関して、面内の任意の箇所で実施したラインスキャン解析を紹介します。

図1は既に測定して得られた格子状に存在する181Taの二次イオン像です。このイオン像で図中の矢印の方向に沿ってラインスキャン解析を行い、ライン上での181Taの二次イオン強度情報を取得します。次に、この情報から横軸をスキャンした距離、縦軸をカウントしたイオン強度として図2のプロファイルへ加工することが可能となります。

このラインスキャン解析では、二次イオン像として取得された画像より、任意のラインを指定してラインスキャンさせる事で、面内マップとしての二次元情報をイオン強度の値として一次元の濃度分布情報へ変換することが容易にできます。(このラインは、幅と厚みを定義してスキャンすることも可能です。)

図1:181Taの二次イオン像 図2:181Taの二次イオン強度プロファイル
図1:181Taの二次イオン像 図2:181Taの二次イオン強度プロファイル
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