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S9501

電界放射型オージェ電子分光装置(FE-SAM)

1. メーカー・型式

ULVAC-PHI製     PHI-670

2. 原理・特徴

図:FE-SAM装置の概略図
  1. 試料に数k〜30kVで加速した電子を照射して、オージェ効果により発生する電子の運動エネルギーを測定することにより、試料表面(〜数十Å)に存在する元素を調べる。
  2. 二次電子像(SEM像)観察下で、最小150Åの局所の分析ができる。
  3. 試料表面の二次元的な元素分布を調べることができる。
  4. エッチング銃を併用することにより、試料の深さ方向の分析ができる。
  5. 非破壊で分析できる。

3. 性能・仕様・付属品

分析領域 150Åφ〜300μmφ
電子銃 電界放射型
検出器 チャンネルプレート
アナライザー 同軸CMAタイプ
エネルギー分解能 0.1〜1%
付属品 Arイオンエッチング銃 (3kV)

4. 試料形状・サイズ

固体(10mm×10mm×5mm(t)以下)または粉末

5. 分析依頼の際の留意点

試料の取扱の際、試料表面の汚染に注意して下さい。真空中で揮発する試料は測定できません。絶縁体や電子ビーム照射でダメージを受け易い試料は測定が困難です。

6. 応用分野・分析例

  • 半導体材料の異常部の解析
  • 合金の粒界偏析の分析
  • セラミックス材料の表面状態の解析
  • 多層薄膜試料の断面構造の分析
  • 金属材料、電極材料の表面分析
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