B1001
ゼータ電位・粒子径・分子量測定装置
1. 型式
Malvern製 ゼータ電位・粒子径・分子量測定装置;ゼータサイザーナノZS
2. 概要
ゼータ電位・粒子径・分子量測定装置は、光散乱法を利用して非接触で溶液中の微粒子のゼータ電位、粒子径、分子量を測定する装置です。
ゼータ電位測定は、試料に電場を加え電気泳動を行い、粒子の移動速度をレーザードップラー速度測定法によって測定し、ヘンリーの式を適用してゼータ電位を求めます。粒子径測定は、動的光散乱法（DLS）を用い、ブラウン運動する粒子の散乱強度を測定し、その強度の時間的変動から粒子径とその分布を求めます。分子量測定は、静的光散乱法（SLS）を用い、各種試料濃度での散乱光量を測定し、デバイプロットすることで分子量を求めます。
図：装置外観
3. 性能および特長
レーザー仕様：4mW He-Ne 633nm
ゼータ電位測定
| 測定原理 | 電気泳動光散乱法（LDV法1）;M3-PALS2）） |
|---|---|
| 測定可能粒子径範囲 | 5nm〜10μm* |
| 必要サンプル量 | 1ml |
| 電気導電率（最大） | 200ms/cm |
1）LDV法：Laser Doppler Velocimetry（レーザ・ドップラー速度測定）
2）M3-PALS：Mixed Mode Measurement-Phase Analysis Light Scattering
（混合ﾓｰﾄﾞ測定法と光散乱位相解析の組合わせ）
*試料に依存する。
粒子径測定
| 測定原理 | 動的光散乱法（NIBS4）） |
|---|---|
| 測定レンジ | 0.6nm〜1μm（流体力学的径） |
| 必要サンプル量 | 12μl〜1ml |
| 濃度範囲 | 0.1ppm 〜 40wt％* |
| 散乱角度 | 173° |
4）NIBS : Non-Invasive Back-Scatter（非接触後方光散乱法）
*試料に依存する。
分子量測定
| 測定原理 | 静的光散乱法、デバイプロット |
|---|---|
| 測定レンジ | 1×103〜1×105Da |
| 必要サンプル量 | 分子量の大きさに依存する |
その他
| （1）温度依存性測定 | |
| 温度制御 | 2℃〜90℃（キャピラリーセル使用時は2℃〜70℃）5） |
|---|---|
| 結露制御 | 乾燥空気によるパージ（低温測定時に必要） |
5）加温により分散媒が対流または揮発する場合は不可。
4. 応用分野と分析事例
セラミック、触媒、電池材料、医薬、食品
- ナノ粒子の粒度分布評価
- 分散安定性の評価
- 液中の構造変化
- 分子量の測定
- 生体高分子のキャラクタリゼーション
