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I110

ICP-MSによるシリコンウエハ表面の金属不純物の定量

特徴

  • 半導体製造工程において問題となる元素(Na、Al、Ca、Cr、Fe、Cu等)の分析=>108〜109atoms/cm2
  • 12インチ径のウエハサイズの分析が可能
  • 数万ÅのSiO2膜厚の分析が可能
図:8インチシリコンウエハ表面の金属分析例

図:8インチシリコンウエハ表面の金属分析例

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