HOME > 分析対象 > エレクトロニクス > 半導体
S185

オージェによるウエハ上のシミ部の分析

ウエハの表面汚染の一つにシミの発生があります。多くの場合、発生したシミは非常に薄く、EPMAやEDS分析では分析が困難です。ここでは、ウエハ上にみられるシミ状の異常箇所をオージェ(SAM)で分析した例を示します。
シミ部では正常部に比べC、Oが多く存在していることが分かります。なお、シミ部は30秒のアルゴンイオンエッチングで消失することから、シミ部の厚みは極めて薄い(数十Å)ものです。

図1:シミ部の二次電子像 図2:カーボンのオージェ像
図1:シミ部の二次電子像 図2:カーボンのオージェ像
図3:シリコンのオージェ像 図4:酸素のオージェ像
図3:シリコンのオージェ像 図4:酸素のオージェ像
前のページに戻るこのページのトップへ