TOF-SIMSによる超格子の分析（1）

極く薄い多層膜試料の分析では、TOF-SIMSが威力を発揮します。ここでは、InP/InGaAs系超格子膜の測定を示します。

試料：InP（10nm）/InGaAs（10nm） の繰り返し多層膜

試料のデプスプロファイルより、位相の異なるPとGaの周期構造が明瞭に観察されます。このように、TOF-SIMSは試料の非常に浅い領域（オングストロームオーダ）の分析に用いられます。

図1：超格子多層膜の断面構造