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S218

TOF-SIMSによる超格子の分析(2)

多層膜試料の分析では、TOF-SIMSが威力を発揮します。ここでは、GaN系超格子膜中のドーパント(Si)のデプスプロファイルを図1に示します。

試料構造はGaN中でのSiの周期ドーピング超格子(100周期以上)

SiドープGaN(2.5nm)/ノンドープGaN(7.5nm)の繰り返し

Siは分子イオン(SiN-)で検出しました。試料のデプスプロファイルより、Siの周期ドーピングが明瞭に観察されていることが分かります。このように、TOF-SIMSは超格子のドーパントの分析にも威力を発揮します。

超格子多層膜の断面構造

図1:超格子多層膜の断面構造とTOF-SIMSによって測定したSiのデプスプロファイル

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