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S334

発光ダイオードの断面観察

アルゴンイオンを用いて断面を作製するクロスセクションポリッシャ(CP)は、機械的なストレスをかけずに断面を作製することができ、また、数百μm巾の断面を作製できるという特長があります。

CPを用いて、発光ダイオード(写真1)の中心にある発光部の断面を作製した例を示します(写真2)。

写真2に作製した発光部の断面SEM像を示します。400μm□の発光部全体の断面が作製できています。また、Au電極や、GaAs発光部など硬さの異なる材料であっても良好な断面が作製できていることが分かります。

写真1:発光ダイオード中心部 写真2:発光部断面SEM像
写真1:発光ダイオード中心部 写真2:発光部断面SEM像

Auバンプ部分を拡大観察(写真3)すると、結晶方位の違いに起因するコントラスト(チャネリングコントラスト)を観察でき、加工歪みのほとんどない断面であることが分かります。

次いで、Auバンプ下面の接合部を拡大観察(写真4)しました。チャネリングコントラストに加え、面間に存在するボイドがつぶされずに断面が作製されており、明瞭に観察できました。

写真3:Auバンプ 写真4:Auバンプ下面の接合部
写真3:Auバンプ 写真4:Auバンプ下面の接合部

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