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S470

半導体ヘテロ接合界面のTEMひずみ解析

発光ダイオードの発光層InGaN/GaN界面のTEMひずみ解析を行いました。

GaN[1-100]入射条件の断面TEM写真を図1(a)に、HREM Research社製 PPA(「PPA(TEMひずみ解析ソフト)」参照)を用いて解析したひずみマップを図1(b)〜(d)に示します。x、y方向とリファレンスとした領域を図1(a)中にそれぞれ示します。なお、ひずみマップは、TEM写真の像強度ピーク位置が原子列位置と直接関係していると仮定し、リファレンス部と比較して-5〜+5%の範囲をカラー表示しています。

TEM写真中矢印で示すInGaN層では、層内(x方向)の変位は少ない(同図b)ものの、成長方向(y方向)に伸びる方向の変位を示すと考えられます(同図c)。

(a)断面TEM写真 (b)ひずみマップ(εxx)
(a)断面TEM写真 (b)ひずみマップ(εxx)
(c)ひずみマップ(εyy) (d)ひずみマップ(εxy)
(c)ひずみマップ(εyy) (d)ひずみマップ(εxy)
図1:断面TEM写真・ひずみマップ
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