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S0503

クロスセクションポリッシャ(CP)

1. メーカー・型式

日本電子製    SM-09010、SM-09020

2. 原理・概略図

  1. 真空中で、試料にイオンビームを照射するとエッチングにより穿孔されるが、試料表面にシールドプレートを設置することにより、シールドプレートの下にイオン加工された断面が形成される。この断面は、機械的なダメージのない断面であり、従来の機械研磨では変形してしまうような構造も、忠実に断面作製ができる。
  2. 機械研磨では、鏡面研磨が困難な軟質金属や、それらを含む硬軟複合材料、またダイヤモンド粒子などの超硬質材料の断面加工も可能。
  3. Arイオンを用いた加工であり、Gaイオンを用いるFIB加工に比べて、低ダメージでの加工が可能。また、広範囲(〜500μm巾程度)の断面作製が可能。
CP加工の概略図

図:CP加工の概略図

3. 性能・仕様

加工イオン アルゴン
イオン加速電圧 3〜6kV
加工速度 1.3μm/min(加速電圧6kV、SiO2換算)
断面位置決め精度 10〜20μm程度(光学顕微鏡による位置決め)
オプション 回転試料ホルダ

4. 試料形状・サイズ

形状 11mmW×10mmL×2mmH以下
加工 樹脂包埋、機械研磨などを併用して、所定位置付近(25〜50μm程度)での粗断面を作製後、CP法による仕上げ断面加工
性状 試料作製時に、水・有機溶媒や各種樹脂等を使用するため、耐熱性、吸湿性、耐薬品性等の情報が必要

5. 適用分野

  • 各種基板(FPC、セラミックス、ガラスエポキシなど)の断面作製
  • 電子部品(発光ダイオードなど)の断面作製
  • ダイヤモンド/SiC研磨シート、砥石の断面作製
  • 樹脂粉末の断面作製
  • セラミックス繊維の断面作製

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